檢索結果:共12筆資料 檢索策略: "發光二極體".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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覆晶封裝技術為藍光發光二極體之主流技術,本論文以藍寶石基板之氮化鎵材料為主,開發覆晶式發光二極體製程技術為目的,可大幅提升氮化鎵發光二極體輸出功率與效率。 覆晶發光二極體必須達到低電阻與高反…
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氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一,應用於氮化鎵系統的材料之中,卻出現了嚴重的問…
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本論文使用商業紫外光發光二極體晶圓製作積體化UV LED與監控光偵測器元件,優化之前的設計。並聯多顆LED以加大光功率,並聯多顆MPD以加大監控響應率。在元件並聯前後分別去量測UV …
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發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛,但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶,所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題,我們利用覆晶封裝的技術,將氮化…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈,來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一,在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化,而製作電子元件時大部分的基板都是矽,最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去,本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓,利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN,使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構,在同一…
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近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面,自從氮化銦能隙更正後,發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵,能組合成幾乎…
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本論文使用商用氮化鎵發光二極體晶圓,晶圓編號為ELV(紫光)與FEB(藍光),在這兩片晶圓上製作出p-i-n光偵測器與發光二極體(LED)。兩種元件設計的差異主要是p型歐姆接觸金屬ITO面積的範圍,…
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中,串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱,為降低串聯電阻值,本論文先建立LED元件電路模型,依據電流擴散路徑,分析總串聯電阻分別為何處…